结合金鉴实验室的大数据分析总结，金鉴工程师总结出关于漏电失效,可能原因有以下这些：

1. 焊球过大

2. 芯片被污染

3. 离子迁移 

4. 芯片被损坏

5. 固晶胶爬胶过高

6.芯片本身质量问题 ，芯片长晶工艺缺陷

金鉴实验室邵工分享关于芯片漏电失效检测方法：

芯片漏电失效分析OBIRCH/EMMI

作为一种新型的高分辨率微观缺陷定位技术，能够在大范围内迅速准确地进行器件失效缺陷定位，基本上，只要有LED芯片异常的漏电，它都可以产生亮点出来。 

原理：用激光束在通电恒压下的LED芯片表面进行扫描，激光束部分能量转化为热能，如果LED芯片存在缺陷点，缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开，这将导致缺陷处温度累计升高，并进一步引起金属线电阻以及电流变化，通过变化区域与激光束扫描位置的对应，定位缺陷位置。该方法常用于LED芯片内部高阻抗及低阻抗分析，芯片漏电路径分析。

金鉴实验室LED芯片失效点分析(Obirch+FIB+SEM)检测报告！

FIB切片芯片测试

案例 芯片静电击穿:

对漏电失效芯片做FIB截面分析1#击穿位置，中间点贯穿外延PN结，导致芯片漏电失效。击穿坑洞位于正极金道边缘，且坑洞形貌与常规静电击穿形貌一致，因此推断芯片受到静电击穿。

FIB切割芯片金道

金鉴实验室FIB-SEM产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。

芯片离子污染：

小芯片没有做保护层，很容易吸附其他分子、杂质，同时芯片生产使用过程中的活性离子很容易扩散进入半导体材料中，容易形成了电流通道使芯片出现IR不良现象，甚至导致芯片严重失效。

本文由金鉴实验室邵工提供，如需转载及技术咨询，请联系邵工：18814096302 

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